Los Módulos de Potencia SiC MOSFET de 1200 V de Vishay Aumentan la Eficiencia Energética en Aplicaciones Industriales

Vishay Intertechnology anunció el lanzamiento de cinco nuevos módulos de potencia MOSFET de Carburo de Silicio (SiC) de 1200 V, diseñados para mejorar significativamente la eficiencia energética en aplicaciones de media y alta frecuencia. Los dispositivos utilizan el encapsulado estándar de la industria SOT-227, combinando alto rendimiento con una integración sencilla en diseños existentes.

Soluciones Ideales para Aplicaciones Automotrices, Energéticas, Industriales y de Telecomunicaciones

Los nuevos módulos VS-SF50LA120, VS-SF50SA120, VS-SF100SA120, VS-SF150SA120 y VS-SF200SA120 están diseñados para aplicaciones exigentes, como:

• Inversores solares

• Cargadores externos para vehículos eléctricos (EV)

• Convertidores DC/DC y fuentes SMPS

• Sistemas UPS y HVAC

• Sistemas de almacenamiento de energía a gran escala

• Fuentes de alimentación para telecomunicaciones

Gracias al uso de la última generación de MOSFETs SiC de Vishay, estos módulos ofrecen menores pérdidas de conmutación, mayor eficiencia y operación confiable a altas temperaturas.

Tecnología Avanzada con Diodo Body de Recuperación Suave

Disponibles en configuraciones single switch y low-side chopper, cada módulo integra un MOSFET SiC con diodo body de recuperación suave, que proporciona baja recuperación inversa. Esto reduce las pérdidas de conmutación y mejora la eficiencia general del sistema, especialmente en aplicaciones de conversión de potencia de alta frecuencia.

El Encapsulado SOT-227 Permite Fácil Sustitución y Reducción de Costos

El encapsulado SOT-227 permite que los nuevos módulos funcionen como reemplazos directos (drop-in replacement) de soluciones competidoras ya utilizadas en diseños existentes. Esto permite a los ingenieros adoptar la tecnología SiC más reciente sin necesidad de modificar el diseño de la PCB, reduciendo el tiempo y los costos de desarrollo.

Además, el encapsulado moldeado ofrece:

• Aislamiento eléctrico de hasta 2500 V durante un minuto

• Eliminación de la necesidad de aislamiento adicional entre el componente y el disipador de calor

• Reducción del costo total del sistema

Alto Rendimiento Eléctrico y Térmico

Los módulos de potencia SiC de Vishay ofrecen características eléctricas y térmicas robustas:

• Corriente continua de drenaje: de 50 A a 200 A

• Baja RDS(on): hasta 12,1 mΩ

• Alta velocidad de conmutación

• Baja capacitancia

• Temperatura máxima de unión: +175 °C

• Compatibles con RoHS

Estas características hacen que los dispositivos sean ideales para aplicaciones que requieren alta densidad de potencia, eficiencia energética y fiabilidad a largo plazo.

Especificaciones Técnicas – Módulos de Potencia SiC MOSFET de 1200 V

Número de Parte	VDSS	ID	RDS(on)	Configuración	Encapsulado
VS-SF50LA120	1200 V	50 A	43 mΩ	Low-side chopper	SOT-227
VS-SF50SA120	1200 V	50 A	47 mΩ	Single switch	SOT-227
VS-SF100SA120	1200 V	100 A	23 mΩ	Single switch	SOT-227
VS-SF150SA120	1200 V	150 A	16,8 mΩ	Single switch	SOT-227
VS-SF200SA120	1200 V	200 A	12,1 mΩ	Single switch	SOT-227

Disponibilidad

Las muestras y la producción en volumen de los módulos VS-SF50LA120, VS-SF50SA120, VS-SF100SA120, VS-SF150SA120 y VS-SF200SA120 ya están disponibles, con plazos de entrega aproximados de 13 semanas.