Módulos de Potência SiC MOSFET 1200 V da Vishay Aumentam a Eficiência Energética em Aplicações Industriais

A Vishay Intertechnology anunciou o lançamento de cinco novos módulos de potência MOSFET de Carbeto de Silício (SiC) de 1200 V, projetados para elevar a eficiência energética em aplicações de média e alta frequência. Os novos dispositivos utilizam o encapsulamento padrão da indústria SOT-227, garantindo alto desempenho com fácil integração em projetos existentes.

Soluções Ideais para Automotivo, Energia, Indústria e Telecom

Os novos módulos VS-SF50LA120, VS-SF50SA120, VS-SF100SA120, VS-SF150SA120 e VS-SF200SA120 foram desenvolvidos para aplicações exigentes, como:

• Inversores solares

• Carregadores off-board para veículos elétricos (EV)

• Conversores DC/DC e fontes SMPS

• Sistemas UPS e HVAC

• Armazenamento de energia em larga escala

• Fontes de alimentação para telecomunicações

Graças ao uso da mais recente geração de MOSFETs SiC da Vishay, os módulos oferecem menores perdas de comutação, maior eficiência e desempenho confiável mesmo em altas temperaturas.

Tecnologia Avançada com Diodo Body Soft Recovery

Disponíveis em configurações single switch e low side chopper, cada módulo integra um MOSFET SiC com diodo body soft, que apresenta baixa recuperação reversa. Esse diferencial reduz significativamente as perdas durante a comutação, resultando em sistemas mais eficientes e compactos.

Encapsulamento SOT-227: Facilidade de Substituição e Menor Custo

O encapsulamento SOT-227 permite que os novos módulos atuem como substitutos diretos (drop-in replacement) de soluções concorrentes já existentes no mercado. Isso significa que engenheiros podem adotar a tecnologia SiC mais recente sem necessidade de alterar o layout da PCB, reduzindo custos e tempo de desenvolvimento.

Além disso, o encapsulamento moldado oferece:

• Isolação elétrica de até 2500 V por 1 minuto

• Eliminação da necessidade de isolamento adicional entre o componente e o dissipador de calor

• Redução do custo total do sistema

Alto Desempenho Elétrico e Térmico

Os módulos de potência SiC da Vishay entregam especificações robustas:

• Corrente contínua de dreno: 50 A a 200 A

• Baixa resistência RDS(on): até 12,1 mΩ

• Alta velocidade de comutação

• Baixa capacitância

• Temperatura máxima de junção: +175 °C

• Compatibilidade RoHS

Essas características tornam os dispositivos ideais para projetos que exigem alta densidade de potência, confiabilidade e eficiência energética.

Especificações Técnicas dos Módulos SiC MOSFET 1200 V

Part Number	VDSS	ID	RDS(on)	Configuração	Encapsulamento
VS-SF50LA120	1200 V	50 A	43 mΩ	Low side chopper	SOT-227
VS-SF50SA120	1200 V	50 A	47 mΩ	Single switch	SOT-227
VS-SF100SA120	1200 V	100 A	23 mΩ	Single switch	SOT-227
VS-SF150SA120	1200 V	150 A	16,8 mΩ	Single switch	SOT-227
VS-SF200SA120	1200 V	200 A	12,1 mΩ	Single switch	SOT-227

Disponibilidade

A Vishay já disponibiliza amostras e produção em escala dos módulos VS-SF50LA120, VS-SF50SA120, VS-SF100SA120, VS-SF150SA120 e VS-SF200SA120, com prazo de entrega de aproximadamente 13 semanas.